近几年，环境问题愈发严峻，新能源汽车和再生能源备受推崇，5G商用推进，高功率挑战重重，这也为新材料应用创造了大量的需求，以其禁带更宽和更高的输出阻抗被业界重视，尤其是高性能射频微波领域，如基站、卫星通信等。据权威机构预测，这一市场份额大约97亿美元。

硅基GaN：成本下降，性能超越基GaN
对于消费电子市场来说，目前硅基半导体可以为大部分应用提供足够的性能，而且价格比GaN便宜，因此GaN的大范围推广受到极大的挑战。除此之外，SiC在中低功率市场也与GaN形成竞争。

芯片价格决定于晶圆尺寸，晶圆尺寸越大芯片价格越低，产品也就越有竞争力。目前市场上的硅基LDMOS产品可以做到8寸晶圆，SiC和GaN大部分采用4寸晶圆。如果想要降低GaN的价格就需要扩大晶圆尺寸。

公司无线产品中心资深总监成钢解释，“我们努力把硅基GaN的晶圆尺寸做到8寸，这样MACOM的单个产品功率密度是LDMOS的4到5倍，这就意味着单品价格会下降5倍，实现了用大量晶圆平均成本。对比SiC，其外延材料品质还达不到6寸或者8寸晶圆的要求，因此成本还会居高不下。”

成钢强调，“我们的硅基GaN性能和SiC基GaN的性能相当，第四代硅基GaN的峰值效率可以提供到70%，LDMOS产品只有60%；在基站上的平均效率可达到60%，LDMOS产品只有54%，SiC基的GaN目前效率可达到58%-59%，由此可见MACOM研发的硅基GaN性能已经超过了SiC基GaN的产品性能，总之，我们用LDMOS的硅基成本结构来提供GaN的性能。未来MACOM的硅基GaN会替代SiC基GaN产品。”