其兴也勃焉
最近，一个高通的资深技术经理在和我聊天的时候感叹射频集成电路在这十几年里的起起落落。他说，她在美国念博士期间（上世纪九十年代末）甚至还没有一本完整的RFIC教科书，那时候怎么做射频电路全靠自己摸索。他毕业后就来了高通，见证了RFIC行业在十年前的盛景，然后转眼间RFIC就成了明日黄花，愿意做这行的新人越来越少，老人则都在担忧会不会被裁员。“太快了，也就是十几年的事情”，他感叹道。
RFIC行业在这十几年里的变化确实是沧海桑田。
时间回到上世纪九十年代，那时候大哥大在中国还要一万多块钱一个，当时的消费者根本不会想到今天我们能用上价廉物美的小米手机。当时手机里的射频电路还是用昂贵的分立器件搭的，很少有人能料到不久以后我们就可以用便宜的CMOS工艺实现RFIC从而把所有的器件都集成在一片芯片上。甚至当时在制定2G的GSM标准时都没有考虑到会有CMOS RFIC这个东西，以至于在GSM标准中相位噪声指标对CMOS电路来说特别苛刻。
（到了二十年后的今天，虽然CMOS IC的特征尺寸已经按照摩尔定律从当年的500nm缩小到了今天的16nm，但是GSM收发机的相位噪声指标仍然需要仔细优化才能满足！）
事实上，CMOS RFIC在当时确实面临重重困难。
例如：如何实现高性能的片上电感？如何用噪声性能很差的CMOS器件实现低噪声放大器？如何用载流子迁移率比较差的CMOS器件实现高频振荡器？
然而，正所谓时势造英雄，一批CMOS RFIC的先驱者做了大量漂亮的工作，解决了CMOS RFIC绝大多数的问题。
例如，Stanford的Patrick Yue（后来联合创立了Atheros，目前在港科大做教授）和UC Berkeley的Ali Niknejad（目前仍在UC Berkeley当教授）实现了硅基底芯片的高质量片上电感，UCLA的Ahmad Mirzaei（目前在博通,也是笔者的Mentor）和Asad Abidi实现了宽带CMOS片上振荡器，Stanford的Derek Schaeffer（目前在苹果）和Thomas Lee告诉大家如何用CMOS实现低噪声放大器，并且宣布随着CMOS特征尺寸缩小放大器的噪声系数会变好！
CMOS RFIC掀起了一场革命，价廉物美的手机从此进入了千家万户，并推动了半导体和通信业界的繁荣。